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智能門鎖是指區(qū)別于傳統(tǒng)機(jī)械鎖的基礎(chǔ)上改進(jìn)的,，在用戶安全性,、識(shí)別、管理性方面更加智能化的鎖具,。智能門鎖是門禁系統(tǒng)中鎖門的執(zhí)行部件,。隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能家居的普及,，作為智能家居入口級(jí)產(chǎn)品,，智能門鎖市場(chǎng)近年來(lái)增速十分驚人,。 [詳情]

對(duì)于尋找磁簧開關(guān)替代方案以減小開關(guān)尺寸、提高開關(guān)質(zhì)量和耐用性,、限度延長(zhǎng)電池壽命的設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō),，新型隧道磁阻技術(shù)能夠?yàn)樗麄兲峁┪布?jí)（uA）的開關(guān)功耗，同時(shí)還具有高靈敏度的特性,，且性價(jià)比優(yōu)于磁簧開關(guān),。 [詳情]

自從多維科技推出革命性的純國(guó)產(chǎn)的芯片TMR1340后，使得完全替換干簧管不但成為可能,，而且實(shí)踐證明性價(jià)比更好,。多維科技TMR1340芯片,，采用新一代TMR隧道磁電阻技術(shù)，平均功耗只有1.5uA,，完全滿足工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)有4-20mA的功耗要求,，如分辨率為10mm，最長(zhǎng)可以做到20m,，實(shí)時(shí)工作無(wú)休眠模式,，頻響可以達(dá)到1KHZ，完全滿足頻響的要求,。敏感方向與干簧管液位計(jì)磁鐵完全兼容,，廠商無(wú)需更換磁鐵和更改結(jié)構(gòu)。 [詳情]

獲得一顆IC芯片要經(jīng)過(guò)從設(shè)計(jì)到制造漫長(zhǎng)的流程,，然而一顆芯片相當(dāng)小且薄,，如果不在外施加保護(hù)，會(huì)被輕易的刮傷損壞,。此外,，因?yàn)樾酒某叽缥⑿。绻挥靡粋€(gè)較大尺寸的外殼,，將不易以人工安置在電路板上,。而這個(gè)時(shí)候封裝技術(shù)就派上用場(chǎng)了，本文接下來(lái)介紹了28種芯片封裝技術(shù),。 [詳情]

如果蒸發(fā)原子密度的瞬時(shí)值在成績(jī)過(guò)程中可測(cè)量,，則可確定撞擊到基片上的原子速率，由于這一方法沒有累積性,，因此必須通過(guò)積分運(yùn)算得到每單位面積上的膜質(zhì)量或膜厚,。 [詳情]

薄膜通常通過(guò)材料的氣態(tài)原子凝聚而形成。在薄膜形成的最早階段,，原子凝聚是以三維成核的形式開始,，然后通過(guò)擴(kuò)散過(guò)程核長(zhǎng)大形成連續(xù)膜。薄膜形成的方式確實(shí)是獨(dú)特的,。薄膜新奇的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性質(zhì)大部分歸因于生長(zhǎng)過(guò)程,，固而薄膜生長(zhǎng)對(duì)薄膜科學(xué)技術(shù)而言是最為基本、最為重要的,。 [詳情]

跟化學(xué)氣相沉積方法不同的是,，物理氣相沉積有獨(dú)有的優(yōu)越性，它對(duì)沉積材料和基片材料進(jìn)沒有限制,。物理氣相沉積過(guò)程可概括為三個(gè)階段：①?gòu)脑床牧现邪l(fā)射出粒子②從粒子輸運(yùn)到基片③粒子在基片上凝結(jié),、成核、長(zhǎng)大,、成膜,。 [詳情]

薄膜制備的化學(xué)方法需要一定的化學(xué)反應(yīng),，這種化學(xué)反應(yīng)可以有熱效應(yīng)引起或者由離子的電致分離引起，在化學(xué)氣相沉淀和熱生長(zhǎng)過(guò)程中,，化學(xué)反應(yīng)是靠熱效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，而在電鍍和陽(yáng)極氧化沉淀過(guò)程中則是靠例子的電致分離實(shí)現(xiàn),。 [詳情]