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薄膜通常通過(guò)材料的氣態(tài)原子凝聚而形成,。在薄膜形成的最早階段,，原子凝聚是以三維成核的形式開(kāi)始,，然后通過(guò)擴(kuò)散過(guò)程核長(zhǎng)大形成連續(xù)膜,。薄膜形成的方式確實(shí)是獨(dú)特的。薄膜新奇的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性質(zhì)大部分歸因于生長(zhǎng)過(guò)程,，固而薄膜生長(zhǎng)對(duì)薄膜科學(xué)技術(shù)而言是最為基本,、最為重要的,。

一,、形核

形核是薄膜的誕生階段,，從本質(zhì)上講是一個(gè)氣固相轉(zhuǎn)變問(wèn)題。

   凝聚過(guò)程：氣態(tài)原子的凝聚是氣態(tài)原子與所到達(dá)基片表面通過(guò)一定的相互作用而實(shí)現(xiàn)的,，這一相互作用即為氣態(tài)碰擊原子表面的偶極矩或四級(jí)距吸引到表面,，結(jié)果原子在很短時(shí)間內(nèi)失去垂直于表面的速度分量。只要原子的人射能量不太高,，則氣態(tài)原子可以處于完全的熱平衡狀態(tài),，也可以處于非熱平衡狀態(tài)。由于來(lái)自表面而和（或）本身動(dòng)能的熱激活,，吸附原子可以在表面上移動(dòng),，即從一個(gè)勢(shì)阱跳躍到另一個(gè)勢(shì)阱。吸附原子在表面具有一定停留或滯留時(shí)間,，在這一時(shí)間里,，吸附原子可以和其他吸附原子作用形成穩(wěn)定的原子團(tuán)或被脫附到氣相中。因此,，凝聚是吸附和脫附過(guò)程的平衡凈效果,。

二、生長(zhǎng)過(guò)程

1.一般描述：具有明顯特征的順序沉積階段如下：①首先形成無(wú)序分布的三維核,，然后少量的沉積物迅速到達(dá)飽和密度,，這些核隨后形成所觀察到的島。②當(dāng)島通過(guò)進(jìn)一步沉積而增大尺寸時(shí),，島彼此靠近,，大島似乎以合并小島而生長(zhǎng)。島密度以沉積條件的速率單調(diào)減少,。③當(dāng)島分布到達(dá)臨界狀態(tài)時(shí),，島的大尺寸迅速合并導(dǎo)致形成聯(lián)通網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，島將變平以增加表面覆蓋度,。④生長(zhǎng)的最后階段是需要足夠量的沉積物緩慢填充隧道過(guò)程,。不管大面積空位在合并形成復(fù)合結(jié)構(gòu)的何處形成，都有二次成核發(fā)生,。

2.類液體合并：上述描述的生長(zhǎng)順序,，對(duì)于高吸附原子遷移情況過(guò)程進(jìn)行得非常快,，在合并I和II階段,，作為大量質(zhì)量傳遞結(jié)果，島和網(wǎng)絡(luò)的形狀變化很大,，原位連續(xù)實(shí)驗(yàn)給人們以“類液體”行為的印象,，因而膜生長(zhǎng)定義為“類液體”合并。合并被認(rèn)為只有當(dāng)島互相接觸時(shí)才會(huì)發(fā)生,，其機(jī)制類比燒結(jié)過(guò)程中兩個(gè)球狀晶粒的合并,。在相互接觸的島的類液相合并中，表面能和表面擴(kuò)散所控制的質(zhì)量輸送機(jī)制毫無(wú)疑問(wèn)地起著重要作用,，但是,，其他一些驅(qū)動(dòng)力以及限制力（如靜電荷存在對(duì)島的作用）也可能影響合并過(guò)程。

3.沉積參數(shù)的影響

（1）一般考慮

沉積參數(shù)對(duì)膜生長(zhǎng)的影響可以通過(guò)沉積參數(shù)對(duì)吸附原子的黏滯系數(shù),、成核密度和表面遷移率的影響來(lái)理解,。膜的聚集隨著表面遷移率的增加而增加，隨著成核密度的減小而增加,。聚集的增加意味著膜在一較大厚度時(shí)達(dá)到連續(xù),，且膜具有大晶粒和少量被凍結(jié)的結(jié)構(gòu)缺陷。

在熱力學(xué)平衡條件下的起始飽和成核密度由基片—?dú)庀嘞到y(tǒng)確定,，而與沉積率無(wú)關(guān),。但是在沉積率特別高（原子到達(dá)基片速率遠(yuǎn)高于原子的擴(kuò)散率），氣相原子或其表面存在靜電荷,，表面存在結(jié)構(gòu)缺陷,，荷能氣相原子穿過(guò)基片表面并導(dǎo)致表面缺陷等情況下，上述結(jié)論不成立。所有這些因素都引起起始成核密度增加,，因此隨后的聚集大為減小,，吸附的雜質(zhì)也影響成核密度。

決定聚集和膜生長(zhǎng)的重要因素是吸附原子的表面遷移或遷移率,。如果遷移為方向無(wú)序,，則吸附原子將在表面無(wú)序行走，直到再蒸發(fā)或在表面上被化學(xué)吸附,。在平衡條件下,，形成的

分立島滿足這樣的要求，即平均島間距離對(duì)應(yīng)于無(wú)序行走過(guò)程中的平均擴(kuò)散距離,。遷移率隨著表面擴(kuò)散激活能的減小而增加,，隨遷移過(guò)程中吸附原子的有效溫度或動(dòng)能的增加而增加，也隨基片溫度和表面光滑度的增加而增加,。在膜生長(zhǎng)中,，吸附原子的動(dòng)能效應(yīng)一般在理論處理中可忽略。

遷移過(guò)程的先前描述,，說(shuō)明在后生核生長(zhǎng)階段的高聚集來(lái)源于：⑴高的沉積溫度,；⑵氣相原子的高的動(dòng)能，對(duì)于熱蒸發(fā)意味著高沉積率,；⑶氣相人射的角度增加,。這些結(jié)論假設(shè)凝聚系數(shù)為常數(shù)，基片具有原子級(jí)別的平滑度,。

（2）動(dòng)能效應(yīng)

與蒸發(fā)膜相比,，對(duì)于濺射薄膜，隨著沉積厚度增加,，合并島的數(shù)量減少率快速增加,，這是動(dòng)能在提高原子團(tuán)聚集方面起作用的一個(gè)令人信服的實(shí)例。濺射膜的原子團(tuán)的高聚集性在電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)中也得到驗(yàn)證,。當(dāng)沉積厚度增加時(shí),，濺射島的密度接近一常數(shù)值，爾后,，島變平從而得到連續(xù)的濺射膜,。大島的平整化可能源于靜電荷，與蒸發(fā)情況相比,，在濺射情況下,，荷電粒子更多，如果濺射原子在碰撞中產(chǎn)生表面缺陷,，從而導(dǎo)致成核密度增加,，則上面的討論由于原子團(tuán)聚集大大減小面不再成立,。

（3）斜向沉積

斜向碰撞（即氣相沉積以非直角入射方式進(jìn)行）會(huì)增加吸附原子在表面遷移的速度分量。隨著島尺寸的增加,，自遮蔽變得明顯,，在入射氣相原子方向出現(xiàn)柱狀生長(zhǎng)（在垂直于基片方向拉長(zhǎng)）。因此,，對(duì)于膜的電性質(zhì)連續(xù)性的臨界厚度,，在高入射角迅速增大。在超過(guò)某一入射角時(shí),，膜表面積迅速增加，與柱狀生長(zhǎng)圖像相一致,。而且,，對(duì)斜入射沉積的膜的應(yīng)力性質(zhì)，磁性質(zhì),，反射和吸收性所觀察到的各向異性,，也都說(shuō)明了生長(zhǎng)的各向異性。

（4）靜電效應(yīng)

增加電場(chǎng)強(qiáng)度可以使島的表面積增大到一臨界值,，如果超過(guò)這一臨界值,，由于電弧作用會(huì)導(dǎo)致膜的損傷。電場(chǎng)效應(yīng)本質(zhì)上是靜電效應(yīng)（電流可忽略）,，這是因?yàn)橹挥性诤喜⑶半妶?chǎng)才起作用,，當(dāng)合并完成后，電場(chǎng)效應(yīng)可被去掉,。所觀察的效應(yīng)不可能是源于焦耳熱,，因?yàn)檫@將導(dǎo)致島的聚集，因此增加非連續(xù)性,。如果額外電流在網(wǎng)絡(luò)階段通過(guò)膜的話,，生長(zhǎng)行為因焦耳熱效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生很大變化。

三,、薄膜的生長(zhǎng)模式

薄膜的形成過(guò)程一般可分為凝結(jié)過(guò)程,、核形成與長(zhǎng)大過(guò)程、島形成與生長(zhǎng)結(jié)合過(guò)程,。而薄膜的生長(zhǎng)模式可歸納為三種形式：（1）島狀模式（或Volmer-Weber模式）,；（2）單層模式（或Frank-VanderMerwe模式）；（3）層島復(fù)合模式（或Stranski-Krastanov模式）,。

當(dāng)最小的穩(wěn)定核在基片上形成就會(huì)出現(xiàn)島狀生長(zhǎng),，它在三維尺度生長(zhǎng)，最終形成多個(gè)島,。當(dāng)沉積物中的原子或分子彼此間的結(jié)合較之與基片的結(jié)合強(qiáng)很多時(shí),，就會(huì)出現(xiàn)這種生長(zhǎng)模式,。在絕緣體，鹵化物晶體,、石墨,、云母基片上沉淀金屬時(shí)，大多數(shù)顯示出這一生長(zhǎng)模式,。

相反的特征出現(xiàn)在單層生長(zhǎng)模式中,。在單層生長(zhǎng)模式中，最小的穩(wěn)定核的擴(kuò)展以壓倒所有其他方式出現(xiàn)在二維空間,，導(dǎo)致平面片層的形成,。在這一生長(zhǎng)模式中，原子或分子之間的結(jié)合要弱于原子或分子與基片的結(jié)合,。第一個(gè)完整的單層會(huì)被結(jié)合稍松弛一些的第二層所覆蓋,。只要結(jié)合能的減少是連續(xù)的，直至接近體材料的結(jié)合能值,，單層生長(zhǎng)模型便可自持,。這一生長(zhǎng)模式的最重要的例子是半導(dǎo)體膜的單晶外延生長(zhǎng)。