產(chǎn)品概述 | |
AMR4020 傳感器芯片內(nèi)部包含兩組推挽式惠斯通電橋,，每組電橋由四只高靈敏度各向異性磁電 (anisotropic magnetoresistance, AMR) 傳感元件所組成,。當(dāng)芯片沿磁柵長(zhǎng)度方向移動(dòng)時(shí),，因 AMR 元件排布方式與磁極寬度相匹配，位移引起的磁場(chǎng)變化使兩組惠斯通電橋輸出兩路彼此正交的弦波信號(hào),；信號(hào)的周期為一個(gè)磁極寬度位移量,。對(duì)這兩路弦波信號(hào)解碼可精確測(cè)量芯片與磁柵之間的相對(duì)位移。 芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)有效地補(bǔ)償了傳感器的溫度漂移,，提高了傳感器芯片在多種應(yīng)用環(huán)境下的測(cè)量精度,。AMR4020采用小型的DFN12L (6mm × 2mm × 0.75mm) 封裝，芯片內(nèi)部磁敏單元偏向封裝體一側(cè),，這種安排可減少對(duì)芯片安裝間距的限制要求,，使應(yīng)用系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)更加靈活，方便裝配至狹小空間,。 |  DFN12L |
產(chǎn)品特性 | |
 各向異性磁阻 (AMR) 技術(shù) | 寬工作電壓范圍 |
| 低飽和場(chǎng) | 允許較大的測(cè)量間隙 |
| A、B 相模擬電壓輸出 | 良好的溫度穩(wěn)定性 |
| 優(yōu)越的抗外磁場(chǎng)性能 | 符合 RoHS & REACH |
典型應(yīng)用 | |
| 增量式或絕對(duì)式編碼器 | 直線位移或角度位移編碼器 |
| 磁柵尺及磁編碼器 | |
