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磁傳感器
TMR3636 低壓,、低功耗 TMR 角度傳感器芯片
  • TMR3636-big
產品型號:TMR3636
類 型:模擬角度
供電電壓:1.6 V ~ 5.0 V
角度范圍:360°
電 阻:/
峰值 (mV/V):/
工作磁場范圍(Gs):200 Gs~800 Gs
角度誤差:/
輸出接口:模擬差分輸出
封裝形式:DFN3L
交付周期:In stock

產品概述

TMR3636D-BAC 芯片是多維科技推出的一款低壓,、低功耗 TMR 可編程模擬輸出角度傳感器芯片,。

芯片內部集成了隧道磁阻 (TMR) 傳感器,、低噪聲可編程運算放大器及 DAC 調理電路,,使用內置的專用信號調理電路,,對隧道磁阻檢測到的原始信號的零點偏移 (Offset),、放大倍數(shù) (Gain) 等參數(shù)進行調整,輸出經校正過后并隨著外加磁場角度變化的正弦電壓信號,,該信號的周期如下圖所示,,與外加磁場強度無關,。該芯片可廣泛應用于各種位置檢測應用場景,支持客戶對低電壓,、高分辨率,、高信噪比等性能的需求。

該產品采用 DFN3L (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm) 封裝,,符合 RoHS 等標準,。

dfn3l-4DFN3L

產品特性

icon隧道磁阻 (TMR) 技術icon供電電壓 1.6 V ~ 5.0 V
icon靜態(tài)功耗 < 260 μAicon檢測范圍 0 ~ 360°
icon非線性度:1.5 %FS (±30°)icon運算放大倍數(shù):3 ~ 30 倍
icon低噪聲、低功耗iconSin+ / Sin- 差分輸出
icon符合 RoHS & REACH

典型應用

icon高精度搖桿icon線性位移檢測
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