產品概述 | |
TMR3016 角度傳感器芯片采用獨特的推挽式惠斯通電橋結構設計,,該電橋由四個高靈敏度隧道磁阻 (TMR) 元件組成,。傳感器隨著外加磁場角度的變化輸出正弦電壓信號,,該信號的周期為磁場方向在感應平面內旋轉 360°,,與外加磁場強度無關,。 TMR3016 角度傳感器芯片采用了緊湊型的封裝 DFN4L (0.8 mm × 0.4 mm × 0.23 mm),便于在小空間內進行組裝,。 | ![]() |
產品特性 | |
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典型應用 | |
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產品型號:TMR3016 |
類 型:模擬角度 |
供電電壓:≤ 5.5 V |
角度范圍:360° |
電 阻:2.5kΩ |
峰值 (mV/V):180 |
工作磁場范圍(Gs):200 Gs~800 Gs |
角度誤差:/ |
輸出接口:模擬差分輸出 |
封裝形式:DFN4L |
交付周期:In stock |
產品概述 | |
TMR3016 角度傳感器芯片采用獨特的推挽式惠斯通電橋結構設計,,該電橋由四個高靈敏度隧道磁阻 (TMR) 元件組成,。傳感器隨著外加磁場角度的變化輸出正弦電壓信號,,該信號的周期為磁場方向在感應平面內旋轉 360°,,與外加磁場強度無關,。 TMR3016 角度傳感器芯片采用了緊湊型的封裝 DFN4L (0.8 mm × 0.4 mm × 0.23 mm),便于在小空間內進行組裝,。 | ![]() |
產品特性 | |
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典型應用 | |
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